《eetimes》未来pcm出货量可超越dram-凯发88


 

 

 

2021年8月30日,美国著名电子技术类杂志《ee times》发表文章,题为新型存储取代nor和sram,及3d xpoint成长的挑战 (emerging memories look to displace nor, sram – 3d xpoint’s growth won’t be without challenges.)

 

报道开篇指出:新型存储正蓄势待发,迎来新一波的成长高潮。

 

据权威分析机构预测,到2031年,新型存储将达到440亿美金的市场。新型存储将在mcu,asic甚至cup里,以“独立”或“嵌入式”的形式,全面取代现有存储产品,包括nor闪存,sram和dram。

 

相变存储pcm技术是新型存储的主要组成之一,代表产品是intel基于相变存储技术的3d xpoint 存储器 傲腾/optane。文章预测3d xpoint 年销售额可达到200亿美元,这和去年的一报道遥相呼应,将帮助pcram的成长同时,文章也指出了pcm成长所面临的挑战。

 

客观分析(objective analysis)的主任分析师jim handy指出:目前intel的傲腾是唯一的商业化产品,傲腾dimms 吸引人的地方在于它价格比dram便宜,根据intel报道,每gb价格便宜近一半。根据权威分析机构预测,独立式存储器,年pb(petabyte – 1peta=1e15的出货量,pcm 3d xpoint将在2028年达到1e5 pb,和dram持平,并在未来超过dram。

 

当然,新型存储也包括mram,reram等其他新型存储技术,文章对mram和reram也有相关描述。新型存储对现有存储技术的替代是全方位的。文章的另一幅图表也再次强调,pcm将有效的填补和替代dram和nand之间的差距。

 

 

原版英文文章可点击以下链接查看

 


2021年09月01日

《eetimes》未来pcm出货量可超越dram

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