《eetimes》未来pcm出货量可超越dram-凯发88

2021年8月30日，美国著名电子技术类杂志《ee times》发表文章，题为新型存储取代nor和sram，及3d xpoint成长的挑战 (emerging memories look to displace nor, sram – 3d xpoint’s growth won’t be without challenges.)

报道开篇指出：新型存储正蓄势待发，迎来新一波的成长高潮。

据权威分析机构预测，到2031年，新型存储将达到440亿美金的市场。新型存储将在mcu，asic甚至cup里，以“独立”或“嵌入式”的形式，全面取代现有存储产品，包括nor闪存，sram和dram。

相变存储pcm技术是新型存储的主要组成之一，代表产品是intel基于相变存储技术的3d xpoint 存储器 – 傲腾/optane。文章预测3d xpoint 年销售额可达到200亿美元，这和去年的一篇报道遥相呼应，将帮助pcram的成长。同时，文章也指出了pcm成长所面临的挑战。

客观分析（objective analysis）的主任分析师jim handy指出：目前intel的傲腾是唯一的商业化产品，傲腾dimms 吸引人的地方在于它价格比dram便宜，根据intel报道，每gb价格便宜近一半。根据权威分析机构预测，独立式存储器，年pb（petabyte – 1peta=1e15）的出货量，pcm 3d xpoint将在2028年达到1e5 pb，和dram持平，并在未来超过dram。

当然，新型存储也包括mram，reram等其他新型存储技术，文章对mram和reram也有相关描述。新型存储对现有存储技术的替代是全方位的。文章的另一幅图表也再次强调，pcm将有效的填补和替代dram和nand之间的差距。

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