时代芯存 半导体科普系列——nand和nor flash-凯发88

快闪存储器历史

nor和nand是现在市场上两种主要的非挥发性快闪存储器技术。intel于1988年首先开发出nor flash技术，改变了原先由eprom和eeprom主导非挥发性快闪存储器市场的局面。1989年，东芝公司发表了nand flash结构，强调降低每存储单元的成本，更高的性能。大多数情况下快闪存储器只是用来存储少量的代码，这时nor快闪存储器更适合一些。而nand则是用于高数据存储密度的需求。

flash存储架构

快闪存储器将信息存储在由浮动栅极（floating gate)晶体管制成的存储单元中。这些技术的名称解释了存储器单元的组织方式。在nor快闪存储器中，每个存储器单元的一端连接到源极线（sl），另一端直接连接到类似于nor门的位线（wl）。在nand快闪存储器中，几个存储器单元（通常是8个单元）串联连接。

nor的传输效率很高，在1～4mb的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。nand结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用nand的困难在于flash的管理和需要特殊的系统界面。

nand flash  nor flash

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性能比较

flash快闪存储器是非挥发性存储器，可以对称为块（block)的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。nand器件执行擦除操作是十分简单的，而nor则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位元都写为0。由于擦除nor器件时是以64～128kb的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除nand器件是以8～32kb的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了nor和nadn之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作，更多的擦除操作必须在基于nor的单元中进行。

nor快闪存储器和nand快闪存储器的主要特性的比较