scm又添一个纯国产ssd玩家-凯发88

    导读    

计算与存储之间,一直以来就有着密不可分的关系。随着计算数据量不断增大,内存的功耗容量问题和外存的速度问题日益凸显,这就需要一个能够同时 兼具dram性能和nand flash容量优点的存储,scm存储级存储应运而生。

       最近国内的亿恒创源公司已经推出基于东芝xl-flash 的scm介质的ssd,对标因特尔傲腾ssd。整个存储行业都在积极布局和关注scm存储。

       江苏时代全芯存储科技股份有限公司(amt)专注于相变存储领域,首款相变产品即将在本月底亮相,基于pcm 特有的优秀的性能,amt后期将推出基于pcm相变存储技术的scm存储级存储。



内容摘取

在数字化变革的新时代,存储性能与计算性能的优化,对于众多企业级应用的改善必然可以带来更好的效果。

scm,即storage class memory存储级内存,不仅享有dram的性能表现,同时拥有nand flash的容量优点,这样一类兼得dram 与nand flash优点的创新介质,具备存储级的持久化和内存快速字节级的访问的共性。

显然,scm在io设备与内存设备之间架起了一座彩虹桥,适合应用于对性能和可靠性要求较高的场景。在人工智能、物联网、大数据、 云计算等创新技术融合式应用发展的今天,scm创新介质的出现,带来了计算存储前所未有的新改变,越来越备受业界的关注。

不过,在scm领域,英特尔3d xpoint和三星z-nand表现非常积极,最近一次的新闻却将东芝存储器的xl-flash推向了市场的前台。 

在8月初的美国加利福尼亚州举行的2019全球闪存峰会(flash memory summit)上,北京忆恒创源科技有限公司(memblaze)在现场 展示了业界首款基于东芝xl-flash的scm闪存介质的nvme ssd原型产品memblaze pblaze x26。

东芝存储器公开信息显示,xl-flash的延迟不会超过5微秒,相比现在3d tlc闪存的50微秒左右延迟,拥有足足10倍的更佳表现。需 要指出的是,xl-flash的本质还是3d nand,并且是slc,从材料的角度xl-flash似乎并不属于上文谈到的scm范畴,但是从延迟等 参数看确和scm在同一量级。 



 所以也可以看到pblaze x26超低延迟的效果。现场展示的pblaze5 x26系列ssd原型产品,已能够实现低于10μs的4k随机写入延迟、 以及平均低至26μs的4k混合读写延迟。在市场定位上,这是一款明显与英特尔傲腾(optane)ssd 对标的国产化ssd产品。(文:全球存储观察)


2019年08月19日

scm又添一个纯国产ssd玩家

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