nand flash 2020年新战场暗潮汹涌 各家布局蓄势待发-凯发88

各家nand大厂争取资料中心庞大的储存商机，2020年将进入新一波技术对决。

业界认为，随着各家大厂96层3d nand迈入量产，2019年下半将开始进入新一代制程竞争，三星电子(samsung electronics)不仅将量产的第六代3d v nand(即120/128层)，旗下的z-nand将与东芝存储器研发的xl-flash形成对决，并与英特尔、美光的3d xpoint抢攻资料中心的储存市场大饼。

业界指出，2020年起nand flash技术竞争将分为两大趋势，包括从96层技术加快推动至128层nand，以达成更具竞争力的生产生本，另一方面，各家大 厂积极抢攻资料中心及高阶商用产品的动作更为积极，将主打特殊制程的储存级存储器，形成技术对决的新战局。

英特尔将3d xpoint/optane存储器生产作为抢攻资料中心及服务器市场的重要布局环节，不同于其他nand业者为了维持产品市占而提高产能，英特尔的3d xpoint作为典型的相变化存储器，其结构是一种交叉点架构，3d xpoint以两层堆栈架构打造，密度为128gb(gigabit)，是介于dram和nand之间的储存存储器， 比nand快速和耐久。英特尔2018年起开始推出3d xpoint/optane，以及高容量3d nand存储器产品上市，作为提高客户端和服务器平台产品市场竞争力，以及 形成市场差异化的要素。

英特尔与美光在新一代3d xpoint产品开发达成分家协议，但美光仍看好，资料中心将受到异质运算比重增加，带动存储器需求也可望增加6倍，内部规划将 推出更高容量的3d xpoint存储器目前正与客户进行测试中，主要应用市场将锁定于资料中心，近期也可望对外发布新进展。

供应链认为，尽管2019年下半资料中心的存储器库存水位开始降低，但回升速度并不如预期强劲，主要仍受到短期市场前景不明的影响，但2020年5g技术 即将铺天盖地展开，资料中心建置与升级需求将重回成长动能，虽然成长复苏的力道是否如同往年强劲仍有待观察，但储存存储器已成为兵家必争之地。

挟着资料中心布局优势的英特尔已推出3d xpoint/optane、美光也即将新一代3d xpoint、三星z-nand以及sk海力士旗下与英特尔相似的3d xpoint(硫族 化合物；chalcogenide)以及东芝存储器开发的xl-flash等都将重兵部署，2020年将可望在资料中心及高阶商用市场再掀起版图争夺战。