美光dram和nand flash最新技术路线图公布-凯发88

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美光近日在投资者大会发布了下一代存储技术路线,其中dram方面美光将持续推进1znm dram技术,nand flash方面,美光将会推出继963d nand之后的1283d nand,为了赢得在成本功耗方面的优势,美光还将实现技术上从floating gatereplacement gate的过渡。值得注意的是除了dramnand flash之外,美光还提出了3d xpoint方面的产品,这是其之前与因特尔共同研发的一项新技术,今年美光已经将此合资公司从因特尔手中买入,未来将是美光在新型存储器领域发力的一个重点方向,而3d xpoint产品本身是依靠相变存储技术实现的一种新型存储技术。


2019年05月28日

美光dram和nand flash最新技术路线图公布

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美光dram和nand flash最新技术路线图公布