预测:存储级内存(scm)将取代 nand和dram 闪存 !-凯发88

  根据2019年1月28日《半导体行业观察》报道,e旗下3par存储部门副总裁兼总经理ivan iannaccone的预测:存储级内存scm克服了nand闪存的局限性,其既能够像nand闪存那样掉电不易失保存内容,又兼具dram的速度,其终将取代闪存成为首选的高速存储介质。

什么是scm介质?scm(storage class memory)是当前业界非常热门的新介质形态,同时具备持久化(storage class)和快速字节级访问(memory)的特点。scm介质发展现状目前在研的scm介质种类繁多,但是比较主流的有4个大类: pcm、reram、mram和nram,当前在产业化方向上pcm(相变存储器)最为成熟。

因特尔(intel)2018年3月28日推出借助于pcm技术生产的非易失性optane (傲腾)存储产品,主要用来搭配传统hdd/ssd硬盘,为系统加速。intel官方表示,配备傲腾内存之后,微软outlook等应用软件的启动速度可以提高接近6倍,chrome浏览器启动速度提高5倍,游戏启动速度提升67%,关卡载入速度提升65%。换言之,未来你的pc系统内,无论内存(nand、dram)、硬盘还是缓存盘,都可以由intel optane系列存储包办!世界存储器市场越来越快进入pcm时代!

文中也明确指出,目前掌握新一代存储技术scm仅有三星和因特尔两家,而amt(江苏时代全芯存储科技股份有限公司)战略性瞄准新一代pcm相变存储技术,已在此领域深耕10年,是继三星和因特尔之后第三家掌握相变存储技术的公司,2019年产品即将下线,无论是从国内还是国际未来市场看,发展基于pcm等技术的存储介质都是对存储级内存战略方向最好的把握,中国大力发展pcm存储技术将是集成电路产业最好的突破和赶超。(路易)






   

2019年02月12日

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